IBM и Samsung объявили о прорыве в области полупроводниковых технологий

Кoмпaнии IBM и Samsung Electronics сoвмeстнo oбъявили o прoрывe в рaзрaбoткe пoлупрoвoдникoвыx тexнoлoгий, oснoвaннoм нa испoльзoвaнии новой вертикальной транзисторной архитектуры, которая открывает метода к масштабированию за пределы наноуровня и имеет запас значительного снижения энергопотребления по сравнению с транзисторами FinFET.

Норма Мура, согласно которому количество транзисторов в микросхемах взять удваивается каждые два года, одно мгновение приближается к тому, что считается непреодолимым препятствием.

Исторически транзисторы проектировались в) такой степени, чтобы «лежать» на поверхности полупроводникового кристалла, присутствие этом электрический ток течёт в горизонтальном направлении. Новые транзисторы, получившие прозвание Vertical Transport Field Effect Transistors, разве VTFET, формируются перпендикулярно поверхности кристалла, и площадка в них течёт вверх или долу.

Процесс VTFET устраняет многие тернии на пути дальнейшему повышению производительности степени интеграции. Некто также касается контактов транзисторов, позволяя получить маленький ток с меньшими потерями энергии. В целом новая ряж нацелена на двукратное улучшение производительности иначе на сокращение энергопотребления на 85% до сравнению с FinFET.

В пресс-релизе, посвящённом прорыву, указано, что глобальный дефицит полупроводниковой продукции «подчеркнул нелестно важную роль инвестиций в исследования и разработки микросхем, а и важность микросхем во всем: с вычислений до бытовой техники, устройств отношения, транспортных систем и критически важных инфраструктур».

Построение была выполнена специалистами комплекса Albany Nanotech Complex, каковой назван «ведущей в мире экосистемой чтобы исследований в области полупроводников, создающей здоровый поток инноваций, помогая удовлетворить потребности производства и приблизить наступление рост мировой индустрии микросхем».

(No Ratings Yet)

Загрузка...